[发明专利]封装结构的形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，包括:

提供一承载基板；

形成一导电层于该承载基板上方；

形成一保护层于该导电层上方，其中该保护层包括多个开口暴露出该导电层的多个部分；

通过多个第一凸块将多个集成电路晶粒接合至该导电层的所述多个部分，其中所述多个集成电路晶粒与该保护层之间具有一空间；

以一第一模塑化合物填入该空间，其中该第一模塑化合物围绕所述多个第一凸块和所述多个集成电路晶粒；

形成一第二模塑化合物覆盖该第一模塑化合物和所述多个集成电路晶粒，其中该保护层具有通过该第二模塑化合物覆盖的一侧壁；

在该保护层上方形成多个第二凸块，其中该导电层的一第一部分和所述多个第二凸块的每一者的一第二部分延伸至该保护层中，且其中所述多个第二凸块的每一者的该第二部分覆盖该保护层的一倾斜侧壁的一上部，该保护层的该倾斜侧壁沿着从该集成电路晶粒朝向所述多个第一凸块的一方向具有一锥形轮廓，且该导电层的该第一部分覆盖该保护层的该倾斜侧壁的一下部；以及

切割该第一模塑化合物和该保护层以形成该封装结构，其中该封装结构与该第二模塑化合物分开。

2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其中该集成电路晶粒具有耦接至所述多个第一凸块的一主动面以及一非主动面，且其中该第一模塑化合物具有在该非主动面与该第二模塑化合物之间的一部分。

3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，还包括移除该第二模塑化合物和该第一模塑化合物的该部分直到暴露出该非主动面，其中在移除该第二模塑化合物和该第一模塑化合物的该部分的期间，该第二模塑化合物持续覆盖该保护层的侧壁。

4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其中该第一模塑化合物通过一浸没成型工艺形成，且该第二模塑化合物通过一压缩成型工艺形成。

5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，还包括:

在填充该空间之后，移除该承载基板；

反转该集成电路晶粒，使该第一模塑化合物和该第二模塑化合物支撑该集成电路晶粒；以及

在反转该集成电路晶粒之后，形成多个所述第二凸块，其中所述多个第二凸块通过该导电层和所述多个第一凸块电性连接至该集成电路晶粒。

6.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其中该第一模塑化合物和该第二模塑化合物邻接该保护层的一顶表面。

7.一种封装结构的形成方法，包括：

提供一承载基板；

形成一导电层于该承载基板上方；

形成一保护层于该导电层上方，其中该保护层包括多个开口暴露出该导电层的多个部分；

通过多个第一连接器将一集成电路晶粒接合至该导电层的所述多个部分，其中该集成电路晶粒具有耦接至所述多个第一连接器的一主动面以及一非主动面，且其中该保护层具有一侧壁和一顶表面，且该保护层的该顶表面面向该集成电路晶粒的该主动面；

形成一第一封装层覆盖该保护层和该非主动面以围绕所述多个第一连接器和该集成电路晶粒，其中该第一封装层从该保护层的该侧壁向内缩；

形成一第二封装层覆盖该第一封装层，其中该第二封装层延伸至该保护层的该侧壁；以及

在该保护层上方形成多个第二连接器，其中该导电层的一第一部分和所述多个第二连接器的每一者的一第二部分延伸至该保护层中，且其中所述多个第二连接器的每一者的该第二部分覆盖该保护层的一倾斜侧壁的一上部，该保护层的该倾斜侧壁沿着从该集成电路晶粒朝向所述多个第一连接器的一方向具有一锥形轮廓，且该导电层的该第一部分覆盖该保护层的该倾斜侧壁的一下部。

8.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其中该第二封装层更沿着该保护层的该侧壁延伸，以覆盖并围绕该保护层的该侧壁。

9.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，还包括薄化该第一封装层和该第二封装层，其中在薄化该第一封装层和该第二封装层的期间，该第二封装层覆盖该保护层的该侧壁。