[发明专利]封装结构的形成方法

说明书

提供封装结构及其形成方法，封装结构的形成方法包含提供承载基板。此方法也包含形成导电层于承载基板上方。此方法还包含形成保护层于导电层上方，保护层包含多个开口暴露出导电层的多个部分。此外，此方法包含通过多个凸块将多个集成电路晶粒接合至导电层的这些部分，集成电路晶粒与保护层之间具有空间。此方法也包含以第一模塑化合物填入空间，第一模塑化合物围绕凸块和集成电路晶粒。此方法还包含形成第二模塑化合物覆盖第一模塑化合物和集成电路晶粒，保护层具有通过第二模塑化合物覆盖的侧壁。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体封装结构的形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，半导体晶粒变得越来越小。然而，需要将更多的功能整合至半导体晶粒中。因此，半导体晶粒具有越来越多的输入/输出(input/output，I/O)接垫封装至较小的区域中，并且输入/输出接垫的密度迅速上升。因此，半导体晶粒的封装日益困难。

封装技术可分成多个类别。在封装的其中一个类别中，在将晶粒封装至其他晶片上之前，从晶片上切割出晶粒，且仅封装「已知良好晶粒」。这种封装技术的优点为形成扇出型(fan-out)芯片封装的可能性，其意味着在晶粒上的输入/输出接垫可以重分配到比晶粒本身更大的区域。因此，可增加封装在晶粒表面上的输入/输出接垫的数量。

为了进一步改善半导体晶粒的密度和功能，已发展出新的封装技术。这些相对较新型的半导体晶粒封装技术面临制造上的挑战，且这些技术在各方面并非完全令人满意。

发明内容

在一些实施例中，提供封装结构的形成方法，此方法包含提供承载基板；形成导电层于承载基板上方；形成保护层于导电层上方，其中保护层包含多个开口暴露出导电层的多个部分；通过多个凸块将多个集成电路晶粒接合至导电层的这些部分，其中集成电路晶粒与保护层之间具有空间；以第一模塑化合物填入空间，其中第一模塑化合物围绕凸块和集成电路晶粒；以及形成第二模塑化合物覆盖第一模塑化合物和集成电路晶粒，其中保护层具有通过第二模塑化合物覆盖的侧壁。

在一些其他实施例中，提供封装结构的形成方法，此方法包含提供承载基板；形成导电层于承载基板上方；形成保护层于导电层上方，其中保护层包含多个开口暴露出导电层的多个部分，且保护层具有边缘；通过多个连接器将集成电路晶粒接合至导电层的这些部分，其中集成电路晶粒具有主动面耦接至连接器以及非主动面；形成第一封装层覆盖保护层和非主动面以围绕连接器和集成电路晶粒，其中第一封装层从边缘向内缩；以及形成第二封装层覆盖第一封装层，其中第二封装层延伸至边缘。

在另外一些实施例中，提供封装结构，此封装结构包含封装层；集成电路晶粒埋置于封装层中，其中集成电路晶粒具有主动面和非主动面；凸块埋置于封装层中，其中凸块耦接至主动面；重布线层在封装层上方，其中集成电路晶粒通过凸块电性连接至重布线层；保护层覆盖重布线层，其中保护层包含开口部分地暴露出重布线层；以及连接器覆盖开口，其中开口填充重布线层的第一部分和连接器的第二部分，且其中第一部分沿着从非主动面朝向主动面的方向逐渐地缩小。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图可以更加理解本公开实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A-图1I为依据一些实施例的形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。

图2为依据一些实施例的形成封装结构的工艺的一阶段的上视图。

图3为依据一些实施例的封装结构的放大剖面示意图。

图4为依据一些实施例的封装结构的剖面示意图。

图5A和图5B为依据一些实施例的形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。

附图标记说明：

100 承载基板