[发明专利]SRAM存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201710611711.6 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109300898B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM存储器及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有第一鳍部柱，第一鳍部柱包括第一底区、位于第一底区上的第一沟道区和位于第一沟道区上的第一顶区，半导体衬底上还具有环绕第一底区的第一介质层；在第一介质层上形成环绕第一沟道区的传输栅极结构；在传输栅极结构上形成环绕第一顶区的第二介质层；形成第二介质层后，去除至少部分第一顶区，在第二介质层内形成第一槽；刻蚀第一槽侧壁的第二介质层以扩大第一槽的开口，形成第二槽；在第二槽中形成第一掺杂层。所述方法提高了SRAM存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有第一鳍部柱，第一鳍部柱包括第一底区、位于第一底区上的第一沟道区和位于第一沟道区上的第一顶区，半导体衬底上还具有环绕第一底区的第一介质层；在第一介质层上形成环绕第一沟道区的传输栅极结构；在传输栅极结构上形成环绕第一顶区的第二介质层；形成第二介质层后，去除至少部分第一顶区，在第二介质层内形成第一槽；刻蚀第一槽侧壁的第二介质层以扩大第一槽的开口，形成第二槽；在第二槽中形成第一掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
