[发明专利]半导体指纹传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710607099.5 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN109299629B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 陈福刚;茹捷 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G06V40/13 分类号: G06V40/13;H01L21/56;H01L23/522
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 300385 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种半导体指纹传感器及其制作方法,通过在半导体指纹传感器的像素区域中的第一金属互连层结构的顶层金属层上直接覆盖一保护层。这样,与现有技术相比,本发明形成的半导体指纹传感器的像素区域中,第一金属互连层结构和保护层之间就没有了钝化层,于是,在半导体指纹传感器中就不存在钝化层所产生的电容,即减少了半导体指纹传感器中的噪声电容,可以提高半导体指纹传感器性能。
搜索关键词: 半导体 指纹 传感器 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种半导体指纹传感器的制作方法,其特征在于,包括:提供一基底,所述基底包括像素区域;在所述基底的像素区域上形成一第一金属互连层结构,所述第一金属互连层结构至少包括一顶层金属层;在所述顶层金属层上形成保护层。
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