[发明专利]半导体指纹传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括像素区域和逻辑区域；

在所述基底的像素区域上形成一第一金属互连层结构，且在所述基底的逻辑区域上形成一第二金属互连层结构，所述第一金属互连层结构至少包括一顶层金属层，所述第一金属互连层结构和第二金属互连层结构位于同一层且电性隔离；

在所述第二金属互连层结构上形成钝化层；

在所述第一金属互连层结构的顶层金属层上形成保护层，所述保护层的厚度大于所述钝化层的厚度，以降低所述保护层所产生的噪声电容。

2.如权利要求1所述的半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，在所述第二金属互连层结构上形成钝化层的方法包括：

在所述第一金属互连层结构和第二金属互连层结构上形成钝化层；

在所述钝化层上形成一光阻图案，所述光阻图案暴露出所述第一金属互连层结构上的钝化层；

以所述光阻图案为掩模，去除所述暴露出的钝化层以露出所述第一金属互连层结构；

去除所述光阻图案。

3.如权利要求2所述的半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，所述钝化层包括覆盖所述第一金属互连层结构和第二金属互连层结构的二氧化硅层以及位于所述二氧化硅层上的氮化硅层。

4.如权利要求1至3任意一项所述的半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，在所述基底的像素区域上形成第一金属互连层结构的步骤和在所述顶层金属层上形成保护层的步骤之间，所述半导体指纹传感器的制作方法还包括：刻蚀所述第一金属互连层结构中的顶层金属层，使所述顶层金属层至少有部分背离所述基底的表面为非平面表面。

5.如权利要求4所述的半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀所述第一金属互连层结构中的顶层金属层。

6.如权利要求5所述的半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀中采用光阻去除剂和异丙醇的配合溶液。

7.如权利要求4所述的半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，所述非平面表面为凹面、凸面或凹凸面。

8.如权利要求7所述的半导体指纹传感器的制作方法，其特征在于，所述凹面、凸面的截面为三角形或弧形，所述凹凸面由所述凹面、所述凸面交错相连而成。

9.一种半导体指纹传感器，其特征在于，包括：

一基底，包括像素区域和逻辑区域；

一第一金属互连层结构和第二金属互连层结构，所述第一金属互连层结构位于所述基底的像素区域上，所述第二金属互连层结构位于所述基底的逻辑区域上，且所述第一金属互连层结构至少包括一顶层金属层，所述第一金属互连层结构和第二金属互连层结构位于同一层且电性隔离；

一钝化层，所述钝化层位于所述第二金属互连层结构上；

一保护层，所述保护层位于所述第一金属互连层结构之上，并与所述顶层金属层接触，所述保护层的厚度大于所述钝化层的厚度，以降低所述保护层所产生的噪声电容。

10.如权利要求9所述的半导体指纹传感器，其特征在于，所述钝化层包括覆盖所述第二金属互连层结构的二氧化硅层以及位于所述二氧化硅层上的氮化硅层。

11.如权利要求9至10任意一项所述的半导体指纹传感器，其特征在于，所述顶层金属层至少有部分背离所述基底的表面为非平面表面。

12.如权利要求11所述的半导体指纹传感器，其特征在于，所述非平面表面为凹面、凸面或凹凸面。

13.如权利要求12所述的半导体指纹传感器，其特征在于，所述凹面、凸面的截面为三角形或弧形，所述凹凸面由所述凹面、所述凸面交错相连而成。