[发明专利]FINFET器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710606730.X | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109300972A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 侯莉;毛立群 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种FINFET器件及其形成方法，该器件在隔离结构的上表面形成有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽、第二凹槽沿鳍片的延伸方向分布在栅极结构的两侧，栅极结构的侧壁上覆盖有外侧墙，部分外侧墙沿半导体衬底的厚度方向延伸至第一凹槽的侧表面和第二凹槽的侧表面。这样一来，栅极结构中的栅极位于隔离结构之上的部分的底端被限制在外侧墙之内，而不会延伸至相邻两个鳍片上的源、漏极之间，因而不会出现源、漏极与栅极短接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 外侧墙 隔离结构 侧表面 漏极 鳍片 延伸 上表面 侧壁 衬底 底端 短接 半导体 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种FINFET器件，其特征在于，包括：半导体衬底，具有位于表面的若干间隔设置的鳍片，相邻两个所述鳍片被隔离结构隔开，所述隔离结构的上表面低于所述鳍片的上表面；横跨所述鳍片和隔离结构的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极；设置在所述隔离结构的上表面的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽沿所述鳍片的延伸方向分布在所述栅极结构的两侧；覆盖在所述栅极结构侧壁上的外侧墙，部分所述外侧墙沿所述半导体衬底的厚度方向延伸至所述第一凹槽的侧表面和第二凹槽的侧表面；位于所述鳍片内的源极和漏极，所述源极、漏极分布在所述栅极结构的两侧。
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