[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710606013.7 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109300971B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、掺杂层以及介电层。所述基底具有多个鳍部分与至少一个凹陷部分。所述凹陷部分位于所述鳍部分之间。所述掺杂层配置于所述鳍部分的侧壁、所述基底的表面以及所述凹陷部分的侧壁与底部上。所述介电层配置于所述掺杂层上。所述掺杂层的顶面与所述介电层的顶面低于每一鳍部分的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：基底，具有多个鳍部分与至少一个凹陷部分，所述凹陷部分位于所述鳍部分之间；掺杂层，配置于所述鳍部分的侧壁、所述基底的表面以及所述凹陷部分的侧壁与底部上；以及介电层，配置于所述掺杂层上，其中所述掺杂层的顶面与所述介电层的顶面低于每一鳍部分的顶面。
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