[发明专利]用于RF功率放大器封装件的集成无源器件

摘要

公开了一种用于RF功率放大器封装件的集成无源器件。本发明涉及一种射频(RF)功率晶体管封装件。本发明还涉及一种包括这种RF功率晶体管封装件的移动电信基站，并且涉及一种适用于RF功率放大器封装件的集成无源管芯。根据本发明，使用了封装件内阻抗网络，该阻抗网络连接至布置在封装件内部的RF功率晶体管的输出端。该网络包括：第一电感元件，具有第一端子和第二端子，该第一端子电连接至RF晶体管的输出端；谐振单元，电连接至第一电感元件的第二端子；以及第二电容元件，电连接在谐振单元和地之间。根据本发明，第一电容元件与第二电容元件串联布置。

主权项

一种射频(RF)功率放大器封装件，包括：封装件；第一半导体管芯，被布置在所述封装件内部并且设置有RF功率晶体管，所述RF功率晶体管具有输出电容并且被配置成在工作频率下放大信号；阻抗网络，被布置在所述封装件内部并且包括：第一电感元件，具有第一端子和第二端子，所述第一端子电连接至所述RF晶体管的输出端；谐振单元，电连接至所述第一电感元件的第二端子；第二电容元件，电连接在所述谐振单元与地之间；其中，所述谐振单元包括第二电感元件和第一电容元件，所述第二电感元件电连接在所述第二电容元件与所述第一电感元件之间，所述第一电容元件具有第一端子和第二端子，所述第一电容元件的第一端子电连接至所述第一电感元件的第二端子；其中，所述第二电容元件的电容显著地大于所述第一电容元件的电容；其中，所述第一电容元件的第二端子电连接至所述第二电容元件；其中，所述第一电感元件、所述第一电容元件以及所述第二电感元件被选择成使得在所述工作频率或者接近所述工作频率时：所述第二电感元件大体上阻挡RF电流，从而使得所述RF电流的较大部分流过C1和C2；由所述第一电容元件和所述第一电感元件的串联连接形成的有效电感具有大体上等于所述第一电感元件的电感的有效电感，所述有效电感与Cds谐振；其中，所述RF功率晶体管被配置成使用馈电电感进行馈电，并且其中，所述第二电容元件被配置成在大体上小于所述工作频率的第一谐振频率下与所述馈电电感谐振；其中，所述第二电感元件被配置成在第二谐振频率下与所述第一电容元件谐振，其中，所述第一谐振频率大体上小于所述第二谐振频率，并且其中，所述第二谐振频率大体上小于所述工作频率；以及其中，谐振电路包括用于抑制第一谐振和第二谐振的电阻元件。