[发明专利]用于改善ALN陶瓷表面蒸镀膜厚度均匀性的装置在审
| 申请号： | 201710595822.2 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107481919A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 祝林;贺贤汉;戴洪兴 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司31203 | 代理人： | 顾雯 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明设计一种用于改善ALN陶瓷表面蒸镀膜厚度均匀性的装置，包括两个侧板，每个侧板包括上下两级台阶，每级台阶包括一个水平台阶面和一个垂直台阶面，两个侧板的两级台阶面对面平行放置；包括支撑杆，所述支撑杆两端分别焊接于两个侧板的下级台阶的垂直台阶面上；包括陶瓷板，所述陶瓷板放置于两个侧板的下级台阶的水平台阶面上。蒸镀时可将铜片直接放在装置里，在整个蒸镀过程中。ALN陶瓷与铜片不直接接触，相互之间保持固定的距离，保证了蒸镀膜厚度均匀，减少烧结后气泡，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 aln 陶瓷 表面 镀膜 厚度 均匀 装置 | ||
【主权项】：
用于改善ALN陶瓷表面蒸镀膜厚度均匀性的装置，其特征在于：包括两个侧板(1)，每个侧板包括上下两级台阶，每级台阶包括一个水平台阶面和一个垂直台阶面，两个侧板(1)的两级台阶面对面平行放置；包括支撑杆(2)，所述支撑杆(2)两端分别焊接于两个侧板(1)的下级台阶的垂直台阶面上；包括陶瓷板(3)，所述陶瓷板(3)放置于两个侧板(1)的下级台阶的水平台阶面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
