[发明专利]一种芯片的制造方法在审
申请号: | 201710575010.1 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107369612A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 周明 | 申请(专利权)人: | 南通明芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/36 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 卢霞 |
地址: | 226600 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片的制造方法,所述芯片包括基板,其特征在于在所述基板下端设置有散热层,所述散热层与所述基板一体成型,所述散热层与所述基板通过数个连接块相连,在所述基板上设置有数个金属层,在最上层所述金属层上设置有钝化层,所述芯片的加工步骤包括处理晶圆,基板上表面进行氧化、金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除,涂钝化层、检测、封装。本发明设计合理,步骤简单,生产出的芯片散热效果好,使用寿命长。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种芯片的制造方法,所述芯片包括基板(1),其特征在于:在所述基板(1)下端设置有散热层(2),所述散热层(2)与所述基板(1)一体成型,所述散热层(2)与所述基板(1)通过数个连接块(3)相连,在所述基板(1)上设置有数个金属层(4),在最上层所述金属层(4)上设置有钝化层(5),所述芯片的加工步骤如下;(1)选择晶圆板,对晶圆板进行清洗和干燥;(2)对干燥后的晶圆板进行固定,通过激光切割装置进行切割,使晶圆板分为散热层和基板,散热层与基板之间形成数个连接块;(3)将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10‑30s,取出烘干;(4)将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1‑2min放入水中清洗,进行干燥;(5)对基板上表面进行氧化,并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除,使基板上表面形成至少3层金属层,最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺;(6)在最上层金属层上涂钝化层;(7)进行检测,检测合格后封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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