[发明专利]一种芯片的制造方法

权利要求书

1.一种芯片的制造方法，所述芯片包括基板（1），其特征在于：在所述基板（1）下端设置有散热层（2），所述散热层（2）与所述基板（1）一体成型，所述散热层（2）与所述基板（1）通过数个连接块（3）相连，在所述基板（1）上设置有数个金属层（4），在最上层所述金属层（4）上设置有钝化层（5），所述芯片的加工步骤如下；

（1）选择晶圆板，对晶圆板进行清洗和干燥；

（2）对干燥后的晶圆板进行固定，通过激光切割装置进行切割，使晶圆板分为散热层和基板，散热层与基板之间形成数个连接块；

（3）将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s，取出烘干；

（4）将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗，进行干燥；

（5）对基板上表面进行氧化，并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除，使基板上表面形成至少3层金属层，最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺；

（6）在最上层金属层上涂钝化层；

（7）进行检测，检测合格后封装。

2.根据权利要求1所述一种芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤4中干燥的温度为180℃，干燥时间为4-5min。

3.根据权利要求1所述一种芯片的制造方法，其特征在于：最上层所述金属层（4）与最下层金属层（4）比其他所述金属层（4）厚。