[发明专利]一种芯片的制造方法在审
申请号: | 201710575010.1 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107369612A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 周明 | 申请(专利权)人: | 南通明芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/36 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 卢霞 |
地址: | 226600 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及芯片制造技术,具体的说是一种芯片的制造方法。
背景技术
现有技术中的芯片散热效果比较差,温度过高会对电子元件造成损坏,往往因为电子元件损坏而使电子器件经常需要维修,现有的芯片生产工艺很难使生产出的芯片具有很好的散热效果。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种能够生产出散热效果好的芯片的制造方法。
为了达到上述目的,本发明是通过以下技术方案来实现的:
本发明是一种芯片的制造方法,芯片包括基板,在基板下端设置有散热层,散热层与基板一体成型,散热层与基板通过数个连接块相连,在基板上设置有数个金属层,在最上层金属层上设置有钝化层,芯片的加工步骤如下;
1选择晶圆板,对晶圆板进行清洗和干燥;
2对干燥后的晶圆板进行固定,通过激光切割装置进行切割,使晶圆板分为散热层和基板,散热层与基板之间形成数个连接块;
3将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s,取出烘干;
4将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗,进行干燥;
5对基板上表面进行氧化,并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除,使基板上表面形成至少3层金属层,最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺;
6在最上层金属层上涂钝化层;
7进行检测,检测合格后封装。
1、本发明的进一步改进在于:步骤4中干燥的温度为180℃,干燥时间为4-5min。
本发明的进一步改进在于:最上层金属层与最下层金属层比其他金属层厚。
本发明的有益效果是:本发明在芯片上涂有纳米散热涂料使芯片产生的热量快速散去,散热层于基板之间通过连接块连接使芯片整体与空气接触面积增大,增强散热效果。
本发明设计合理,步骤简单,生产出的芯片散热效果好,使用寿命长。
附图说明
图1是本发明结构示意图。
其中:1-散热板,2-基板,3-连接块,4-层金属层,5-钝化层。
具体实施方式
为了加强对本发明的理解,下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的详细描述,该实施例仅用于解释本发明,并不对本发明的保护范围构成限定。
如图1所示,本发明是一种芯片的制造方法,芯片包括基板1,在基板1下端设置有散热层2,散热层2与基板1一体成型,散热层2与基板1通过数个连接块3相连,在基板1上设置有数个金属层4,在最上层金属层4上设置有钝化层5,芯片的加工步骤如下;
1选择晶圆板,对晶圆板进行清洗和干燥;
2对干燥后的晶圆板进行固定,通过激光切割装置进行切割,使晶圆板分为散热层和基板,散热层与基板之间形成数个连接块;
3将步骤2所得的晶圆板浸入纳米散热涂料中静置10-30s,取出烘干;
4将步骤3中所得的晶圆板的基板上表面喷洒丙酮1-2min放入水中清洗,进行干燥;
5对基板上表面进行氧化,并进行数次金属溅镀、涂布光阻、蚀刻和光阻去除,使基板上表面形成至少3层金属层,最上层金属层不做涂布光阻、蚀刻和光阻去除工艺;
6在最上层金属层上涂钝化层;
7进行检测,检测合格后封装;步骤4中干燥的温度为180℃,干燥时间为4-5min,最上层金属层4与最下层金属层4比其他金属层4厚。
本发明设计合理,步骤简单,生产出的芯片散热效果好,使用寿命长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造