[发明专利]一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710570663.0 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107316744B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 何创创;庞锦标;班秀峰;刘婷;居奎;韩玉成 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/232;C04B35/468;C03C3/066;C04B41/88 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 钱学宇 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法，涉及一种电容器技术领域。此片式多层金电极芯片电容器，利用片式多层金电极芯片电容器的制备方法制备而得到：用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；在生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；采用薄膜溅射工艺制备得到端电极。此片式多层金电极芯片电容器等效串联电阻显著低，避免了Pd/Ag电极在高温高湿的工作环境下的银迁移以及Ni/Cu电极的高温氧化问题，极大提升产品的稳定性，解决了端电极与内电极之间的相互扩散降低性能指标的问题，进一步提高了产品的可靠性，且适合金丝或金带焊接的微组装工艺要求，可缩小安装空间，易于实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 电极 芯片 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，其包括：用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将所述陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；在所述生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；采用薄膜溅射工艺制备得到端电极；其中，所述多种原料按照重量份数计，包括：90～110份BaTiO3、0.3～2份Nb2O5、0.3～1.5份Nd2O3、0.5～1份CaCO3、0.1～0.5份SiO2、0.1～0.5份MnCO3、0.1～0.5份ZnO、0.3～2份H2BO3以及0.5～4份ZnO‑B2O3‑SiO2玻璃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团云科电子有限公司，未经中国振华集团云科电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710570663.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
