[发明专利]一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，其包括：

用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将所述陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；

在所述生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；

采用薄膜溅射工艺制备得到端电极；

其中，所述多种原料按照重量份数计，包括：90～110份BaTiO₃、0.3～2份Nb₂O₅、0.3～1.5份Nd₂O₃、0.5～1份CaCO₃、0.1～0.5份SiO₂、0.1～0.5份MnCO₃、0.1～0.5份ZnO、0.3～2份H₂BO₃以及0.5～4份ZnO-B₂O₃-SiO₂玻璃。

2.根据权利要求1所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，所述ZnO-B₂O₃-SiO₂玻璃是通过将40～70wt％ZnO、20～40wt％B₂O₃以及5～20wt％SiO₂在1100～1300℃下保温0.5～1h后，再依次进行水淬、烘干、球磨工艺制备得到的。

3.根据权利要求1所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，制备陶瓷介质瓷粉是将所述多种原料进行砂磨并混合后形成的研磨分散后的浆料进行喷雾干燥，并将干燥处理后的混合物在500～800℃的温度下预烧并保温1.5～3.0h。

4.根据权利要求3所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，砂磨后所述浆料的粉体粒径满足D₉₀≤3.0μm、D₅₀为0.40～1.00μm、D₁₀为0.25～0.55μm，砂磨是通过Φ为0.3～0.6mm的氧化锆球以去离子水作为分散介质在30Hz的频率下研磨15～45min，且经研磨以及分散后的所述浆料经喷雾干燥塔进行烘干处理，烘干温度范围为100～150℃。

5.根据权利要求1所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，将所述陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片是将所述陶瓷介质瓷粉与有机溶剂、分散剂、消泡剂以及粘合剂制成浆料，并将所述浆料依次通过流延机以及裁片机。

6.根据权利要求1所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，制作内电极是将金浆作为内电极浆料通过丝网印刷版将其印刷到所述生瓷膜片上。

7.根据权利要求6所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，制备所述端电极之前还包括将印刷有所述内电极的所述生瓷膜片进行叠层与等静压，以形成具有片式多层芯片电容器结构的巴块；叠层与等静压是依据设计的层数和内电极图形，将含有所述内电极浆料的陶瓷生膜片依次错位堆叠起来，并在两端增添未印刷电极的所述生瓷膜片作为保护层，经过等静压形成所述具有多层芯片电容器结构的巴块。

8.根据权利要求7所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，还包括对所述具有多层芯片电容器结构的巴块依次进行切割、排胶、烧结与倒角，并对倒角部位的端面采用薄膜溅射工艺溅射TiW-Au后再电镀Au加厚电极，最后依次进行清洗、烘干。

9.根据权利要求8所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，切割、排胶、烧结与倒角是根据产品设计的切割线对等静压后的所述巴块进行切割，得到相互分离的单个多层芯片电容器器件生坯，将所述器件生坯缓慢升温至400～600℃排出器件中的有机物，再进行烧结处理，然后在倒角罐中进行球磨倒角；烧结温度850～950℃，保温时间2～5h。

10.一种片式多层金电极芯片电容器，其特征在于，通过权利要求1至9中任一项所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法制备而得到。