[发明专利]一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法

说明书

本发明提供了一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法，涉及一种电容器技术领域。此片式多层金电极芯片电容器，利用片式多层金电极芯片电容器的制备方法制备而得到：用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；在生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；采用薄膜溅射工艺制备得到端电极。此片式多层金电极芯片电容器等效串联电阻显著低，避免了Pd/Ag电极在高温高湿的工作环境下的银迁移以及Ni/Cu电极的高温氧化问题，极大提升产品的稳定性，解决了端电极与内电极之间的相互扩散降低性能指标的问题，进一步提高了产品的可靠性，且适合金丝或金带焊接的微组装工艺要求，可缩小安装空间，易于实现规模化生产。

技术领域

本发明涉及一种电容器技术领域，且特别涉及一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法。

背景技术

(MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitor)片式多层陶瓷电容器具有容量大、体积小、内部电感低、绝缘电阻高、漏电流小、介质损耗低等优点，被广泛应用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波和旁路电路，尤其是高频电路中。与其它电容器相比，MLCC特别适合于片式化表面组装，可极大地提高电路组装密度，缩小整机体积，这一突出的特性促使片式MLCC目前成为世界上用量最大、发展最快的一种片式化元件，近几年国际市场对片式MLCC的需求以年均15％～20％的速度增长。

随着电子整机产品市场格局的调整，移动通讯设备和便携式计算机异军突起，为多层陶瓷电容器MLCC的发展带来巨大市场空间的同时，对MLCC在缩小尺寸、扩大容量、抗EMI特性、宽工作温度范围、高可靠性和高频特性等方面提出了更高的要求。

但是，现有技术制备片式多层金电极芯片电容器过程中Pd/Ag电极在高温高湿的工作环境中容易发生银迁移问题，且Ni/Cu电极容易在高温条件下氧化，产品的可靠性得不到保障。

发明内容

本发明的目的在于提供一种片式多层金电极芯片电容器的制备方法，此方法通过陶瓷介质瓷粉配合金材质内、外电极制得的电容器不仅解决了传统的Pd/Ag电极在高温高湿的工作环境中的银迁移问题，且避免了Ni/Cu电极的高温氧化，极大提高了产品的可靠性。

本发明的另一目的在于提供一种片式多层金电极芯片电容器，利用上述的一种片式多层金电极芯片电容器的制备方法制备而得到，此片式多层金电极芯片电容器等效串联电阻显著低，避免了Pd/Ag电极在高温高湿的工作环境下的银迁移以及Ni/Cu电极的高温氧化问题，极大提升产品的稳定性，解决了端电极与内电极之间的相互扩散降低性能指标的问题，进一步提高了产品的可靠性，且适合金丝或金带焊接的微组装工艺要求，可缩小安装空间，易于实现规模化生产。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明提出一种片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其包括：

用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；

在生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；

采用薄膜溅射工艺制备得到端电极；

其中，多种原料按照重量份数计，包括：90～110份BaTiO₃、0.3～2份Nb₂O₅、0.3～1.5份Nd₂O₃、0.5～1份CaCO₃、0.1～0.5份SiO₂、0.1～0.5份MnCO₃、0.1～0.5份ZnO、0.3～2份H₂BO₃以及0.5～4份ZnO-B₂O₃-SiO₂玻璃。

发明提出一种片式多层金电极芯片电容器，通过上述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法制备而得到。