[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示面板在审
申请号: | 201710565730.X | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107316872A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 石龙强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。本发明设计在TFT的有源层上形成一非晶硅层,相当于在沟道上形成一保护层,在刻蚀形成源极图案和漏极图案的过程中,该非晶硅层能够阻挡刻蚀液与有源层接触,从而能够避免损伤沟道,确保沟道的电学性能。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上依次形成栅极图案和绝缘层;在所述绝缘层上依次形成有源层、非晶硅层、金属层及光阻层;采用Half‑tone(半色调)光罩对所述光阻层曝光显影,形成第一光阻区域和位于第一光阻区域两侧的第二光阻区域,所述第一光阻区域的厚度小于所述第二光阻区域的厚度;刻蚀去除未被所述第一光阻区域和第二光阻区域遮盖的有源层、非晶硅层及金属层;对所述第一光阻区域和第二光阻区域进行灰化处理,以去除所述第一光阻区域,并保留部分第二光阻区域;刻蚀去除未被所述部分第二光阻区域覆盖的金属层,形成源极图案和漏极图案;去除所述部分第二光阻区域;在所述绝缘层上形成覆盖所述源极图案和漏极图案的平坦层,所述平坦层开设有暴露所述漏极图案表面的接触孔;在所述平坦层上形成电极图案,使得所述电极图案可通过所述接触孔与所述漏极图案电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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