[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板。

背景技术

随着液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)尺寸和清晰度的增加，具有较大电子迁移率的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)结构已崭露头角并表现出巨大的市场应用前景。当前，业界普遍采用IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)来制备TFT的有源层，并且该有源层位于源极图案和漏极图案的部分形成TFT的沟道，由于IGZO是一种电学性能极其敏感的材料，因此在LCD的制造过程中沟道容易受到损伤，例如在刻蚀形成TFT的源极图案和漏极图案的过程中，刻蚀液极易损伤沟道，从而影响沟道的电学性能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板，能够避免损伤沟道，确保沟道的电学性能。

本发明一实施例的阵列基板的制造方法，包括：

在基板上依次形成栅极图案和绝缘层；

在绝缘层上依次形成有源层、非晶硅层、金属层及光阻层；

采用Half-tone光罩对光阻层曝光显影，形成第一光阻区域和位于第一光阻区域两侧的第二光阻区域，所述第一光阻区域的厚度小于所述第二光阻区域的厚度；

刻蚀去除未被第一光阻区域和第二光阻区域遮盖的有源层、非晶硅层及金属层；

对第一光阻区域和第二光阻区域进行灰化处理，以去除第一光阻区域，并保留部分第二光阻区域；

刻蚀去除未被所述部分第二光阻区域覆盖的金属层，形成源极图案和漏极图案；

去除所述部分第二光阻区域；

在绝缘层上形成覆盖源极图案和漏极图案的平坦层，所述平坦层开设有暴露漏极图案表面的接触孔；

在平坦层上形成电极图案，使得所述电极图案可通过接触孔与漏极图案电连接。

本发明一实施例的阵列基板，包括：

基板；

依次形成于基板上的栅极图案和绝缘层；

依次形成于绝缘层上的有源层、非晶硅层、源极图案和漏极图案；

形成于绝缘层上且覆盖源极图案和漏极图案的平坦层，所述平坦层开设有暴露漏极图案表面的接触孔；

形成于平坦层上的电极图案，所述电极图案可通过接触孔与漏极图案电连接。

本发明一实施例的液晶显示面板包括上述阵列基板。

有益效果：本发明设计在TFT的有源层上形成一非晶硅层，相当于在沟道上形成了一保护层，在刻蚀形成源极图案和漏极图案的过程中，该非晶硅层能够阻挡刻蚀液与有源层接触，从而能够避免刻蚀液损伤沟道，以此确保沟道的电学性能。

附图说明

图1是本发明第一实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图2是基于图1所示方法制造阵列基板的场景示意图；

图3是本发明第二实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图4是基于图3所示方法制造阵列基板的场景示意图；

图5是本发明第三实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图6是本发明一实施例的液晶显示面板的结构剖视图。

具体实施方式

本发明的主要目的是在TFT的有源层上形成一非晶硅层，在刻蚀形成源极图案和漏极图案的过程中，该非晶硅层能够阻挡刻蚀液与有源层接触，以此避免刻蚀液损伤沟道，确保沟道的电学性能。

下面结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例及实施例中的技术特征可以相互组合。

图1是本发明第一实施例的阵列基板的制造方法的流程示意图。如图1所示，本实施例的制造方法可以包括步骤S11～S19。

S11：在基板上依次形成栅极图案和绝缘层。

如图2所示，基板21可以为玻璃基材、透明塑料基材、可挠式基材等透光基材。当然，本实施例的基板21也可以设置有钝化保护层，例如基板21可以包括衬底基材和形成于衬底基材上的钝化保护层，衬底基材可以为玻璃基材、透明塑料基材、可挠式基材等透光基材，钝化保护层的材料包括但不限于硅氮化合物，例如Si₃N₄(四氮化三硅，简称氮化硅)，以保护基板21表面的结构稳定性。