[发明专利]半导体装置与其制造方法

摘要

本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板；表面电极，其与所述半导体基板的表面相接；和背面电极，其与所述半导体基板的背面相接，所述半导体基板具有：在沿着所述半导体基板的厚度方向俯视观察时重叠于所述表面电极与所述半导体基板的接触面的元件区；和所述元件区的周围的外周耐压区，所述元件区具有能够在所述表面电极与所述背面电极之间进行通电的半导体元件，所述外周耐压区具有：多个保护环，其为p型，并露出于所述表面，且对所述元件区进行多重包围；和外周漂移区，其为n型，并使多个所述保护环彼此分离，多个所述保护环具有多个内周侧保护环和多个外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与所述内周侧保护环相比靠外周侧，并且与所述内周侧保护环相比宽度较窄，多个所述内周侧保护环彼此之间的间隔与多个所述外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄，所述内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区，所述第一高浓度区具有与所述内周侧保护环自身的p型杂质浓度的峰值的10％相比较高的p型杂质浓度，所述第一低浓度区具有该峰值的10％以下的p型杂质浓度并且被配置在所述第一高浓度区与所述外周漂移区之间，所述外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区，所述第二高浓度区具有与所述外周侧保护环自身的p型杂质浓度的峰值的10％相比较高的p型杂质浓度，所述第二低浓度区具有该峰值的10％以下的p型杂质浓度并且被配置在所述第二高浓度区与所述外周漂移区之间，所述第一低浓度区的相对于所述第一高浓度区在外周侧邻接的部分在所述表面处的宽度与所述第二低浓度区的相对于所述第二高浓度区在外周侧邻接的部分在所述表面处的宽度相比较宽。