[发明专利]一种含嵌入式背场结构的多结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种含嵌入式背场结构的多结太阳能电池及其制备方法，包括一个p型衬底以及三个或三个以上串联设置的子电池，且在所有的子电池中至少有一个子电池为含嵌入式背场结构的GaInNAs子电池，该GaInNAs子电池包括由下至上按层状结构叠加的p型背场、非有意掺杂的GaInNAs基区、n型发射区、n型窗口层，所述非有意掺杂的GaInNAs基区在靠近p型背场方向含有嵌入式背场结构，该嵌入式背场结构为与p型背场所用材料及掺杂条件一致的圆柱阵列，该圆柱阵列为远离空间电荷区而无法被有效收集的少子提供势垒，将少子反射回空间电荷区，从而提高少子收集效率，进而提高短路电流密度和多结电池的光电转换效率。

主权项

一种含嵌入式背场结构的多结太阳能电池，其特征在于：包括一个p型衬底以及三个或三个以上串联设置的子电池，各子电池与相邻结构保持晶格匹配，各子电池之间用隧穿结连接，且在所有的子电池中至少有一个子电池为含嵌入式背场结构的GaInNAs子电池，该GaInNAs子电池包括由下至上按层状结构叠加的p型背场、非有意掺杂的GaInNAs基区、n型发射区、n型窗口层，其中，所述非有意掺杂的GaInNAs基区在靠近p型背场方向含有嵌入式背场结构，该嵌入式背场结构为与p型背场所用材料及掺杂条件一致的圆柱阵列，该圆柱阵列为远离空间电荷区而无法被有效收集的少子提供势垒，将少子反射回空间电荷区，从而提高少子收集效率。