[发明专利]具有电压限制和电容增强的电路

摘要

本公开的方面涉及可利用增强电容和减轻的雪崩击穿进行操作的电路。如可以根据一个或多个实施例所实现的那样，设备和/或方法涉及共源共栅电路的各个晶体管，其中一个晶体管通过向另一个晶体管的栅极施加电压来控制所述另一个晶体管处于关断状态。多个掺杂区域被沟槽分开，其中，导电沟槽配置和布置有掺杂区域，从而在第二晶体管的源极和漏极之间提供电容，并且限制第二晶体管的源极和漏极之一处的电压，由此减轻第二晶体管的雪崩击穿。

主权项

一种设备，包括：共源共栅电路，其易受包括雪崩击穿的过电压状况影响，所述共源共栅电路包括第一晶体管，其具有栅极、源极、沟道和漏极，以及第二晶体管，其具有栅极、源极、沟道和电连接到所述第一晶体管的源极的漏极，所述第二晶体管被配置和布置成通过对所述第一晶体管的栅极施加电压来控制所述第一晶体管处于关断状态；多个导电沟槽；以及一组一个或多个掺杂区域，每个掺杂区域位于相应的相邻一对导电沟槽之间，并且配置为提供p‑n结，其中，所述多个导电沟槽和一个或多个掺杂区域与所述共源共栅电路一起配置和布置，以在所述第二晶体管的源极和漏极之间提供电容，并且通过限制所述第二晶体管的源极或漏极处的电压电平来减轻所述第二晶体管的雪崩击穿。