[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710520204.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195737B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 金雅馨;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层和改善层，改善层插入在N型氮化镓层中，改善层包括依次层叠的多个子层，每个子层包括依次层叠的AlxGa1‑xN层、SiN层和InyGa1‑yN层，0＜x≤1，0＜y≤1。本发明通过在N型氮化镓层中插入AlxGa1‑xN层、SiN层和InyGa1‑yN层组成的超晶格结构，插入的超晶格结构能够有效抑制蓝宝石衬底与氮化镓材料之间晶格失配产生的缺陷延伸至多量子阱层，降低位错密度，释放应力，改善外延片的晶体质量，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括改善层，所述改善层插入在所述N型氮化镓层中，所述改善层包括依次层叠的多个子层，每个所述子层包括依次层叠的AlxGa1‑xN层、SiN层和InyGa1‑yN层，0＜x≤1，0＜y≤1。
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