[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710520204.1 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107195737B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 金雅馨;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括改善层，所述改善层插入在所述N型氮化镓层中，所述改善层包括依次层叠的多个子层，每个所述子层包括依次层叠的AlxGa1-xN层、SiN层和InyGa1-yN层，0＜x≤1，0＜y≤1。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述SiN层中Si组分的含量保持不变，且所述SiN层中Si组分的含量小于所述N型氮化镓层中N型掺杂剂的含量。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN层中掺有Si，所述AlxGa1-xN层中Si组分的含量沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐增多，且所述AlxGa1-xN层中Si组分的含量的最大值等于所述SiN层中Si组分的含量。
4.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InyGa1-yN层中掺有Si，所述InyGa1-yN层中Si组分的含量沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少，且所述InyGa1-yN层中Si组分的含量的最大值等于所述SiN层中Si组分的含量。
5.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述子层的数量为10个～30个。
6.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述改善层的厚度为20nm～50nm。
7.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述N型氮化镓层中插入有改善层，所述改善层包括依次层叠的多个子层，每个所述子层包括依次层叠的AlxGa1-xN层、SiN层和InyGa1-yN层，0＜x≤1，0＜y≤1。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述改善层的生长温度为1000℃～1200℃。
9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述改善层的生长压力为50torr～760torr。
10.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述改善层的Ⅴ/Ⅲ比为300～3000，Ⅴ/Ⅲ比为Ⅴ价原子与Ⅲ价原子的摩尔比。
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