[发明专利]一种硅熔体炉外精炼的装置及其方法在审

专利信息
申请号: 201710519059.5 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107352546A 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 魏奎先;王杰;马文会;李绍元;谢克强;伍继君;于洁;雷云;吕国强 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种硅熔体炉外精炼的装置及其方法,属于提纯工业硅技术领域。该装置中抬包底设置两个气体喷嘴,两个喷嘴圆心和抬包底部圆心呈现的夹角θ满足90°≤θ≤180°;两个喷嘴圆心与抬包底部圆心的距离、喷嘴半径r和抬包底半径R之间的关系为其中向抬包底设置两个气体喷嘴中持续通入压缩空气或者精炼气体,向抬包中放入矿热炉冶炼出的硅熔体,随着抬包内释放硅熔体的增加,加入精炼剂,并调节通入精炼气体成分和流量,进行炉外吹气、造渣精炼;扒开硅熔体表面的浮渣,进行硅熔体的浇注,获得高纯工业硅产品。在本发明保证了特制抬包内硅熔体的动力学条件,消除了搅拌死角,有效的提高了硅产品质量。
搜索关键词: 一种 硅熔体炉外 精炼 装置 及其 方法
【主权项】:
一种硅熔体炉外精炼的装置,其特征在于:所述抬包底(2)设置两个气体喷嘴(3),两个喷嘴(3)圆心和抬包底部圆心呈现的夹角θ满足:90°≤θ≤180°;两个喷嘴(3)圆心与抬包底部圆心的距离1、喷嘴(3)半径r和抬包底(2)半径R之间的关系为:其中
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