[发明专利]一种硅熔体炉外精炼的装置及其方法在审
| 申请号： | 201710519059.5 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107352546A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 魏奎先;王杰;马文会;李绍元;谢克强;伍继君;于洁;雷云;吕国强 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅熔体炉外 精炼 装置 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅熔体炉外精炼的装置，其特征在于：所述抬包底(2)设置两个气体喷嘴(3)，两个喷嘴(3)圆心和抬包底部圆心呈现的夹角θ满足：90°≤θ≤180°；两个喷嘴(3)圆心与抬包底部圆心的距离1、喷嘴(3)半径r和抬包底(2)半径R之间的关系为：其中
2.一种根据权利要求1所述的硅熔体炉外精炼的装置的应用方法，其特征在于具体步骤如下：
步骤1、向抬包底(2)设置两个气体喷嘴(3)中持续通入压缩空气或者精炼气体，向抬包中放入矿热炉冶炼出的硅熔体，随着抬包内释放硅熔体的增加，加入精炼剂，并调节通入精炼气体成分和流量，进行炉外吹气、造渣精炼；
步骤2、硅熔体炉外精炼完毕后，扒开硅熔体表面的浮渣，实现渣硅分离后，进行硅熔体的浇注，获得高纯工业硅产品。
3.根据权利要求2所述的硅熔体炉外精炼的装置的应用方法，其特征在于：所述步骤1通入精炼气体流量为0.5～15m3/h，压力为1～15MPa，通气时间为0.3～8h。
4.根据权利要求2所述的硅熔体炉外精炼的装置的应用方法，其特征在于：所述步骤1精炼剂加入量与硅熔体质量比为20：1～1：20。
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