[发明专利]一种压力传感器及其制作方法、电子器件

摘要

本发明涉及压力检测技术领域，公开了一种压力传感器及其制作方法、电子器件。所述压力传感器包括电致发光器件和电阻层，所述电阻层和电致发光器件的一个电极分别与电源的两极连接，形成回路。上述压力传感器将压力导致的形变转换为电致发光器件的亮度变化，并根据亮度的变化确定压力的大小，具有驱动电压低、高效率、结构简单、制程工艺简单等优点。而且电致发光器件可柔性化的特点，可以实现柔性化的压力传感器，能够应用于电子皮肤等对柔性有需求的电子器件上。

主权项

1.一种压力传感器，包括：电致发光器件，包括第一电极、第二电极，以及设置在所述第一电极和第二电极之间的电致发光层；电阻层，所述第一电极和电阻层分别与一电源的两极连接形成回路；至少一个光电传感器，所述电阻层受压力影响发生形变，致使所述电阻层的电阻发生变化，从而使所述电致发光器件的亮度发生变化，所述光电传感器用于获取与所述电致发光器件的亮度变化相关的参数；检测单元，与所述光电传感器连接，所述检测单元用于根据与所述电致发光器件的亮度变化相关的参数，确定施加压力的大小；所述压力传感器还包括：承载层；弹性恢复层，与所述电阻层接触设置、由弹性材料制得，当移除压力时，所述弹性恢复层发生形变恢复，并带动电阻层形变恢复至初始状态；所述电阻层包括：设置在所述弹性恢复层上的第一导体结构，包括多个第一凸起结构；设置在所述承载层上的第二导体结构，包括多个第二凸起结构；覆盖所述第一凸起结构和所述第一凸起结构之间的弹性恢复层的第一半导体薄膜；覆盖所述第二凸起结构和所述第二凸起结构之间的第二电极的第二半导体薄膜；所述第一半导体薄膜和所述第二半导体薄膜选择不同类型的半导体材料以形成PN结。