[发明专利]一种压力传感器及其制作方法、电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及压力检测技术领域，特别是涉及一种压力传感器及其制作方法、电子器件。

背景技术

压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器，其广泛应用于各种工业自控环境。现有的压力传感器多为力学传感器，如：压阻式压力传感器、电容式压力传感器，通过将压力信号转换为电信号，来实现对压力大小的检测。

为了克服现有的压力传感器种类单一的局限，本发明人提出一种新的压力传感器。

发明内容

本发明提供一种压力传感器及其制作方法、电子器件，用以提供一种的新的压力传感器。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种压力传感器，包括：

电致发光器件，包括第一电极、第二电极，以及设置在所述第一电极和第二电极之间的电致发光层；

电阻层，所述第一电极和电阻层分别与一电源的两极连接形成回路；

至少一个光电传感器，所述电阻层受压力影响发生形变，致使所述电阻层的电阻发生变化，从而使所述电致发光器件的亮度发生变化，所述光电传感器用于获取与所述电致发光器件的亮度变化相关的参数；

检测单元，与所述光电传感器连接，所述检测单元用于根据与所述电致发光器件的亮度变化相关的参数，确定施加压力的大小。

如上所述的压力传感器，其中，所述压力传感器还包括：

弹性恢复层，与所述电阻层接触设置、由弹性材料制得，当移除压力时，所述弹性恢复层发生形变恢复，并带动电阻层形变恢复至初始状态。

如上所述的压力传感器，其中，所述压力传感器还包括承载层；

所述电阻层包括：

设置在所述弹性恢复层上的第一导体结构；

设置在所述承载层上的第二导体结构，所述第一导体结构和第二导体结构位于所述承载层和弹性恢复层之间，所述电阻层受压力影响发生形变，所述第一导体结构和第二导体结构的接触面积发生变化，致使所述电阻层的电阻发生变化。

如上所述的压力传感器，其中，所述第一导体结构包括多个第一凸起结构，所述第二导体结构包括多个第二凸起结构，所述第一凸起结构对应设置在所述第二凸起结构之间的区域，所述第二凸起结构对应设置在所述第一凸起结构之间的区域，所述电阻层受压力影响发生形变，使所述第一凸起结构和第二凸起结构的接触面积增加，致使所述电阻层的电阻减小。

如上所述的压力传感器，其中，所述承载层与所述第二电极为一体结构。

如上所述的压力传感器，其中，所述第二电极的材料为导电聚合物。

如上所述的压力传感器，其中，所述第一凸起结构和第二凸起结构为金属纳米棒或碳纳米管。

如上所述的压力传感器，其中，所述电阻层还包括：

覆盖所述第一凸起结构和所述第一凸起结构之间的弹性恢复层的第一半导体薄膜；

覆盖所述第二凸起结构和所述第二凸起结构之间的第二电极的第二半导体薄膜。

如上所述的压力传感器，其中，所述第一半导体薄膜和第二半导体薄膜的材料为石墨烯。

如上所述的压力传感器，其中，所述光电传感器设置在所述第一电极的背离电致发光层的表面上。

如上所述的压力传感器，其中，所述压力传感器还包括柔性基底，所述弹性恢复层设置在所述柔性基底上，所述电阻层设置在所述弹性恢复层的背离所述柔性基底的表面上。

本发明实施例中还提供一种如上所述的压力传感器的制作方法，包括：

形成电致发光器件，包括形成第一电极、第二电极，以及位于所述第一电极和第二电极之间的电致发光层的步骤；

形成电阻层，所述第一电极和电阻层分别与一电源的两极连接形成回路；

形成光电传感器，所述电阻层受压力影响发生形变，致使所述电阻层的电阻发生变化，从而使所述电致发光器件的亮度发生变化，所述光电传感器用于获取与所述电致发光器件的亮度变化相关的参数；

提供一检测单元，与所述光电传感器连接，所述检测单元用于根据与所述电致发光器件的亮度变化相关的参数，确定施加压力的大小。

如上所述的制作方法，其中，所述制作方法还包括：

利用弹性材料形成与所述电阻层接触设置的弹性恢复层，当移除压力时，所述弹性恢复层发生形变恢复，并带动电阻层形变恢复至初始状态。

如上所述的制作方法，其中，所述制作方法还包括：

提供一承载层；

形成电阻层的步骤包括：

在所述弹性恢复层上形成第一导体结构；