[发明专利]静态随机存储器的制造方法

摘要

本申请公开了一种静态随机存储器的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，其包括：衬底；在衬底上的第一组鳍片，包括用于第一上拉晶体管的第一鳍片和用于第二上拉晶体管的第二鳍片；在每个鳍片周围的隔离区；和在每个鳍片上的栅极结构；在衬底结构上形成第一掩模层，第一掩模层使得第一和第二鳍片未被相应的栅极结构覆盖的部分露出；以第一掩模层为掩模执行第一和第二LDD注入；第一掩模层使得第一LDD注入对第一鳍片的露出部分面对第二鳍片的一侧注入，对第二鳍片的露出部分背对第一鳍片的一侧不注入；第一掩模层使得第二LDD注入对第二鳍片的露出部分面对第一鳍片的一侧注入，对第一鳍片的露出部分背对第二鳍片的一侧不注入。

主权项

1.一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底，在所述衬底上的第一组鳍片，包括彼此间隔开的用于第一上拉晶体管的第一鳍片和用于第二上拉晶体管的第二鳍片，在每个鳍片周围的隔离区，所述隔离区的上表面低于每个鳍片的上表面，以及在每个鳍片上的栅极结构；在所述衬底结构上形成第一掩模层，所述第一掩模层使得所述第一鳍片和所述第二鳍片未被相应的栅极结构覆盖的部分露出；以及以所述第一掩模层为掩模执行第一轻掺杂漏LDD注入和第二LDD注入；其中，所述第一掩模层使得所述第一LDD注入对所述第一鳍片的露出部分面对所述第二鳍片的一侧注入，而对所述第二鳍片的露出部分背对所述第一鳍片的一侧不注入；并且所述第一掩模层使得所述第二LDD注入对所述第二鳍片的露出部分面对所述第一鳍片的一侧注入，而对所述第一鳍片的露出部分背对所述第二鳍片的一侧不注入。