[发明专利]基板处理装置以及利用该基板处理装置的薄膜沉积方法

摘要

本发明涉及基板处理装置以及利用该基板处理装置的薄膜沉积装置。本实施例的基板处理装置包括：腔室，具有密封的工艺区域；基板支撑架，位于所述腔室下部，使晶片安装在上面，并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放；花洒头，位于所述腔室上部，以使源气体以及反应气体供应于所述基板支撑架上；以及清洗环结构体，位于所述基板支撑架的边缘，使从所述基板支撑架内部流入的防止沉积气体供应到所述晶片上面边缘。其中，所述清洗环结构体包括：清洗环，安装在所述基板支撑架周围，以围绕晶片边缘；多个凸起部，从所述清洗环内侧面向所述晶片边缘方向凸出形成；其中，通过所述凸起部在所述清洗环的内侧面与所述晶片边缘之间形成间隙部，通过所述间隙部使所述防止沉积气体供应到所述晶片上面侧。

主权项

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，具有密封的工艺区域；基板支撑架，位于所述腔室下部，使晶片安装在上面，并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放；花洒头，位于所述腔室上部，以使源气体以及反应气体供应于所述基板支撑架上；以及清洗环结构体，位于所述基板支撑架的边缘，使从所述基板支撑架内部流入的防止沉积气体供应到所述晶片上面边缘；其中，所述清洗环结构体包括：清洗环，安装在所述基板支撑架周围，以围绕晶片边缘；多个凸起部，从所述清洗环内侧面向所述晶片边缘方向凸出形成；其中，通过所述凸起部在所述清洗环的内侧面与所述晶片边缘之间形成间隙部，通过所述间隙部使所述防止沉积气体供应到所述晶片上面侧；其中，在所述清洗环内侧上面与所述凸起部的上面还形成用于对准所述晶片中心的倾斜部。