[发明专利]基板处理装置以及利用该基板处理装置的薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

腔室，具有密封的工艺区域；

基板支撑架，位于所述腔室下部，使晶片安装在上面，并且在内部使防止沉积气体通过气体通道向侧面周围排放；

花洒头，位于所述腔室上部，以使源气体以及反应气体供应于所述基板支撑架上；以及

清洗环结构体，位于所述基板支撑架的边缘，使从所述基板支撑架内部流入的防止沉积气体供应到所述晶片上面边缘；

其中，所述清洗环结构体包括：

清洗环，安装在所述基板支撑架周围，以围绕晶片边缘；

多个凸起部，从所述清洗环内侧面向所述晶片边缘方向凸出形成；

其中，通过所述凸起部在所述清洗环的内侧面与所述晶片边缘之间形成间隙部，通过所述间隙部使所述防止沉积气体供应到所述晶片上面侧；

其中，在所述清洗环内侧上面与所述凸起部的上面还形成用于对准所述晶片中心的倾斜部。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述凸起部向所述清洗环中心部凸出，以使所述凸起部具有0.1至1.5mm的宽度。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述凸起部至少具有三个以上，以使所述晶片边缘与所述清洗环内侧面部分性非接触。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述防止沉积气体包括氩气。

5.一种薄膜沉积方法，作为利用权利要求1的基板处理装置沉积薄膜的方法，其特征在于，包括如下的步骤：

在所述腔室内部的所述基板支撑架上部装载所述晶片；

使所述基板支撑架上升并移动至所述腔室内部的所述工艺区域；

在所述工艺区域中将薄膜沉积于所述晶片上；

为了卸载已沉积薄膜的晶片，使所述基板支撑架下降并移动；以及

卸载所述晶片；

其中，所述薄膜沉积步骤包括如下的步骤：

将源气体供应于所述晶片上；以及

将反应气体供应于所述晶片上；

其中，所述防止沉积气体在所述源气体供应步骤以及所述反应气体供应步骤期间通过所述间隙部供应于所述晶片上面的边缘。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

通过所述间隙部进一步将追加反应气体供应于所述晶片边缘。

7.根据权利要求6所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

所述追加反应气体是与所述反应气体相同的物质。

8.根据权利要求5所述的薄膜沉积方法，其特征在于，

所述防止沉积气体包括氩气。