[发明专利]一种太阳能电池用单晶硅制备方法

摘要

本发明涉及单晶硅生产领域，特别是一种太阳能电池用单晶硅制备方法，包括以下步骤，物料准备，将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中；熔化，当装料结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源，加热至1400‑1530℃，使多晶硅和掺杂物熔化；引晶；缩径；等径生长。采用上述方法后，本发明的太阳能电池用单晶硅制备方法，在采用由同一坩埚中的原料熔体进行缩径和等径生产，可以有效的减少单晶硅的位错的产生；另外，进行收尾工作，进一步的防止位错的反延。

主权项

一种太阳能电池用单晶硅制备方法，其特征在于，包括以下步骤，物料准备，将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中；熔化，当装料结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源，加热至1400‑1530℃，使多晶硅和掺杂物熔化；引晶，当多晶硅熔融体温度稳定后，将籽晶慢慢下降进入硅熔融体中，然后具有一定转速的籽晶按一定速度向上提升，使籽晶与硅熔体的固液交接面之间的硅熔融体冷却成固态的硅单晶；缩径，使用无位错单晶作籽晶浸入溶体后，引晶后生长一段“细颈”单晶，并加快提拉速度；等径生长，在放肩后当晶体直径达到工艺要求直径的目标值时，再通过逐渐提高晶体的提升速度及温度的调整，使晶体生长进入等直径生长阶段。