[发明专利]一种太阳能电池用单晶硅制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池用单晶硅制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

物料准备，将多晶硅和掺杂剂置入单晶炉内的石英坩埚中；

熔化，当装料结束关闭单晶炉门后，抽真空使单晶炉内保持在一定的压力范围内，驱动石墨加热系统的电源，加热至1400-1530℃，使多晶硅和掺杂物熔化；

引晶，当多晶硅熔融体温度稳定后，将籽晶慢慢下降进入硅熔融体中，然后具有一定转速的籽晶按一定速度向上提升，使籽晶与硅熔体的固液交接面之间的硅熔融体冷却成固态的硅单晶；

缩径，使用无位错单晶作籽晶浸入溶体后，引晶后生长一段“细颈”单晶，并加快提拉速度；

等径生长，在放肩后当晶体直径达到工艺要求直径的目标值时，再通过逐渐提高晶体的提升速度及温度的调整，使晶体生长进入等直径生长阶段。

2.按照权利要求1所述的太阳能电池用单晶硅制备方法，其特征在于：所述步骤等径生长后还包括步骤收尾，具体如下：

收尾，防止位错的反延。