[发明专利]自支撑氮化镓层及其制备方法有效
| 申请号： | 201710495721.8 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107195536B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 罗晓菊;王颖慧 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 姚艳<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种自支撑氮化镓层及其制备方法，其中，制备方法至少包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底上形成氮化镓外延层；采用激光刻蚀所述氮化镓外延层形成图形化氮化镓外延层，其中，所述图形化氮化镓外延层具有若干个图形开口；于所述图形化氮化镓外延层上形成与所述图形开口相对应的图形化掩膜层；进行热生长，使所述图形化氮化镓外延层生长，于所述图形化掩膜层上方形成氮化镓层，其中，所述氮化镓层与所述图形化掩膜层之间形成有若干个孔洞；剥离所述氮化镓层，以得到所述自支撑氮化镓层。本发明对制备工艺要求较低，能够使氮化镓层从衬底上自动剥离，从而实现氮化镓层的快速自剥离，能够获得高成品率的自支撑氮化镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自支撑氮化镓层的制备方法，其特征在于，所述自支撑氮化镓层的制备方法至少包括如下步骤：/n提供一衬底；/n于所述衬底上形成氮化镓外延层；/n采用激光刻蚀所述氮化镓外延层形成图形化氮化镓外延层，其中，所述图形化氮化镓外延层具有若干个图形开口，所述图形开口的宽度为10μm～100μm，氮化镓外延层的激光刻蚀深度为大于等于氮化镓外延层的厚度的3/4，且小于等于氮化镓外延层的厚度，所述图形开口的侧壁与所述图形开口的底部垂直；/n于所述图形化氮化镓外延层上形成与所述图形开口相对应的图形化掩膜层，其中，所述图形化掩膜层覆盖所述图形开口的底部和侧壁；/n进行热生长，使所述图形化氮化镓外延层生长，于所述图形化掩膜层上方形成氮化镓层，其中，所述氮化镓层与所述图形化掩膜层之间形成有若干个孔洞；/n剥离所述氮化镓层，以得到所述自支撑氮化镓层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
