[发明专利]一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法在审
| 申请号： | 201710495378.7 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107437572A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 郑剑华;苏建国;沈艳梅 | 申请（专利权）人： | 南通华隆微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法，包括提供一硅片，其具有正面和和与正面相对的背面；形成通孔、正面接触点、正面电极、背面电极，正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触；形成柱状铜凸块，位于所述正面电极和背面电极上，所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸，并且所述柱状铜凸块具有相同的高度；在所述柱状铜凸块上贴附粘结膜，盖住全部的柱状铜凸块；在粘结膜和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶，所述透明封装胶包覆所述柱状铜凸块；移除所述粘结膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 具有 结构 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法，包括：提供一硅片，其具有正面和和与正面相对的背面；形成通孔、正面接触点、正面电极、背面电极，正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触；形成柱状铜凸块，位于所述正面电极和背面电极上，所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸，并且所述柱状铜凸块具有相同的高度；在所述柱状铜凸块上贴附粘结膜，盖住全部的柱状铜凸块；在粘结膜和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶，所述透明封装胶包覆所述柱状铜凸块；移除所述粘结膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
