[发明专利]金属材料图形化方法有效
| 申请号： | 201710492345.7 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107342220B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李阳;陶国胜;张成明;刘晓佳 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 黄熊 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种金属材料图形化方法。该方法包括：在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，其中所述保护层的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数之差大于预设阈值；对所述保护层进行图形化处理，用于在所述保护层形成沟道；对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，用于通过保护层以及基板热膨胀程度的不同，剥离所述沟道中的金属纳米材料。由于保护层的热膨胀系数与基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，在如处理过程中，能够通过保护层和基板的热膨胀程度的不同，剥离沟道中的金属纳米材料，从而解决现有技术中的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属材料 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属材料图形化方法，其特征在于，包括：在所提供的基板上依次生成金属纳米材料层和保护层，其中所述保护层的热膨胀系数与所述基板的热膨胀系数之差大于预设阈值，根据所述金属纳米材料层中金属纳米材料的比表面积确定所述预设阈值；对所述保护层进行图形化处理，用于在所述保护层形成沟道；对保护层、金属纳米材料层以及基板进行热处理，用于通过保护层以及基板热膨胀程度的不同，剥离所述沟道中的金属纳米材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷（固安）科技有限公司，未经云谷（固安）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710492345.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
