[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201710484543.9 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107545924B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器装置及其操作方法。本公开涉及一种操作包括共享一条块字线的至少两个存储器块的半导体存储器装置的方法。该方法包括以下步骤：将擦除电压施加至共同地联接至所述存储器块的源极线，所述存储器块中的一个是被选存储器块；以及当擦除电压被施加至源极线时，将第一电压施加至块字线并且将第三电压施加至所述存储器块中的未选存储器块的全局字线，其中，第一电压高于使联接至块字线的通道晶体管导通的导通电压，并且其中，第三电压根据第一电压的电平将包括在未选存储器块中的局部字线浮置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种用于操作半导体存储器装置的方法，该半导体存储器装置包括共享一条块字线的至少两个存储器块，该方法包括以下步骤：将擦除电压施加至共同地联接至所述存储器块的源极线，所述存储器块中的一个是被选存储器块；以及当所述擦除电压被施加至所述源极线时，将第一电压施加至所述块字线并且将第三电压施加至所述存储器块中的未选存储器块的全局字线，其中，所述第一电压高于使联接至所述块字线的通道晶体管导通的导通电压，并且其中，所述第三电压根据所述第一电压的电平将包括在所述未选存储器块中的局部字线浮置。
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