[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板在审
| 申请号： | 201710482645.7 | 申请日： | 2017-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107275412A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张良芬;吴元均;徐源竣 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,武岑飞 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管，其包括基板；金属氧化物半导体层，设置于基板上，金属氧化物半导体层包括半导体本体层及分别位于半导体本体层两端的源极接触层和漏极接触层；栅极绝缘层，设置于半导体本体层上；栅极，设置于栅极绝缘层上；第一钝化层，设置于栅极、源极接触层和漏极接触层上，第一钝化层中具有第一过孔和第二过孔，第一过孔暴露出源极接触层，第二过孔暴露出漏极接触层；源极和漏极，设置于第一钝化层上，源极填充第一过孔，以与源极接触层接触，漏极填充第二过孔，以与漏极接触层接触。本发明还公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法及显示面板。本发明的金属氧化物薄膜晶体管具有较高的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；金属氧化物半导体层，设置于所述基板上，所述金属氧化物半导体层包括半导体本体层以及分别位于所述半导体本体层两端的源极接触层和漏极接触层；栅极绝缘层，设置于所述半导体本体层上；栅极，设置于所述栅极绝缘层上；第一钝化层，设置于所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上，所述第一钝化层中具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述源极接触层，所述第二过孔暴露出所述漏极接触层；源极和漏极，设置于所述第一钝化层上，所述源极填充所述第一过孔，以与所述源极接触层接触，所述漏极填充所述第二过孔，以与所述漏极接触层接触。
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