[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板

说明书

技术领域

本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体地讲，涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。

背景技术

目前，在现有的显示面板中，诸如液晶显示面板或者OLED显示面板中，通常利用薄膜晶体管(TFT)来作为控制开关。其中，薄膜晶体管通常都采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管。

然而，众所周知，非晶硅(a-Si)薄膜晶体管的电子迁移率较低。与非晶硅薄膜晶体管相比，金属氧化物薄膜晶体管的迁移率较高，且可应用于透明显示技术，故具有较高的研究开发价值。

发明内容

为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种能够金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。

根据本发明的一方面，提供了一种金属氧化物薄膜晶体管，其包括：基板；金属氧化物半导体层，设置于所述基板上，所述金属氧化物半导体层包括半导体本体层以及分别位于所述半导体本体层两端的源极接触层和漏极接触层；栅极绝缘层，设置于所述半导体本体层上；栅极，设置于所述栅极绝缘层上；第一钝化层，设置于所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上，所述第一钝化层中具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述源极接触层，所述第二过孔暴露出所述漏极接触层；源极和漏极，设置于所述第一钝化层上，所述源极填充所述第一过孔，以与所述源极接触层接触，所述漏极填充所述第二过孔，以与所述漏极接触层接触。

可选地，所述半导体本体层由非晶的铟镓锌氧化物制成，所述源极接触层和所述漏极接触层由氢掺杂的铟镓锌氧化物制成。

可选地，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括：第二钝化层，设置于所述栅极、所述源极接触层、所述漏极接触层上，所述第一钝化层设置于所述第二钝化层上。

可选地，所述第一钝化层由硅的氧化物制成，所述第二钝化层由硅的氮化物制成，所述第二钝化层的厚度为5nm～50nm。

根据本发明的另一方面，还提供了一种显示面板，其包括上述的金属氧化物薄膜晶体管。

可选地，所述显示面板为液晶显示面板或者OLED显示面板。

根据本发明的又一方面，又提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其包括步骤：提供一基板；在所述基板上制作形成金属氧化物半导体层；在所述金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作形成栅极；对所述栅极和所述栅极绝缘层进行图案化处理，以将所述栅极和所述栅极绝缘层的两端去除，从而将所述金属氧化物半导体层的两端暴露出；对暴露出的所述金属氧化物半导体层的两端进行离子注入，以分别形成源极接触层和漏极接触层；在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层；在所述第一钝化层中制作形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述源极接触层，所述第二过孔暴露出所述漏极接触层；在所述第一钝化层上制作形成源极和漏极，所述源极填充所述第一过孔，以与所述源极接触层接触，所述漏极填充所述第二过孔，以与所述漏极接触层接触。

可选地，在步骤“对暴露出的所述金属氧化物半导体层的两端进行离子注入，以分别形成源极接触层和漏极接触层”之后，且在步骤“在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层”之前，所述制作方法还包括步骤：在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第二钝化层；在步骤“在所述第一钝化层中制作形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述源极接触层，所述第二过孔暴露出所述漏极接触层”中，所述第一过孔和所述第二过孔分别贯通所述第二钝化层。

可选地，在步骤“在所述基板上制作形成金属氧化物半导体层”中，利用非晶的铟镓锌氧化物在所述基板上制作形成金属氧化物半导体层。

可选地，在步骤“在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层”中，利用硅的氧化物在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层；在步骤“在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第二钝化层”中，利用硅的氮化物在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第二钝化层，所述第二钝化层的厚度为5nm～50nm。

本发明的有益效果：本发明提供了一种金属氧化物薄膜晶体管，其具有较高的电子迁移率，并且具有该金属氧化物薄膜晶体管的显示面板具有高可靠性、高亮度、低功耗等优点。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：

图1是根据本发明的实施例的金属氧化物薄膜晶体管的结构示意图；