[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

金属氧化物半导体层，设置于所述基板上，所述金属氧化物半导体层包括半导体本体层以及分别位于所述半导体本体层两端的源极接触层和漏极接触层；

栅极绝缘层，设置于所述半导体本体层上；

栅极，设置于所述栅极绝缘层上；

第一钝化层，设置于所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上，所述第一钝化层中具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述源极接触层，所述第二过孔暴露出所述漏极接触层；

源极和漏极，设置于所述第一钝化层上，所述源极填充所述第一过孔，以与所述源极接触层接触，所述漏极填充所述第二过孔，以与所述漏极接触层接触。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体本体层由非晶的铟镓锌氧化物制成，所述源极接触层和所述漏极接触层由氢掺杂的铟镓锌氧化物制成。

3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括：第二钝化层，设置于所述栅极、所述源极接触层、所述漏极接触层上，所述第一钝化层设置于所述第二钝化层上。

4.根据权利要求3所述的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一钝化层由硅的氧化物制成，所述第二钝化层由硅的氮化物制成，所述第二钝化层的厚度为5nm～50nm。

5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板或者OLED显示面板。

7.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基板；

在所述基板上制作形成金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制作形成栅极；

对所述栅极和所述栅极绝缘层进行图案化处理，以将所述栅极和所述栅极绝缘层的两端去除，从而将所述金属氧化物半导体层的两端暴露出；

对暴露出的所述金属氧化物半导体层的两端进行离子注入，以分别形成源极接触层和漏极接触层；

在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层；

在所述第一钝化层中制作形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述源极接触层，所述第二过孔暴露出所述漏极接触层；

在所述第一钝化层上制作形成源极和漏极，所述源极填充所述第一过孔，以与所述源极接触层接触，所述漏极填充所述第二过孔，以与所述漏极接触层接触。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在步骤“对暴露出的所述金属氧化物半导体层的两端进行离子注入，以分别形成源极接触层和漏极接触层”之后，且在步骤“在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层”之前，所述制作方法还包括步骤：在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第二钝化层；

在步骤“在所述第一钝化层中制作形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔暴露出所述源极接触层，所述第二过孔暴露出所述漏极接触层”中，所述第一过孔和所述第二过孔分别贯通所述第二钝化层。

9.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，在步骤“在所述基板上制作形成金属氧化物半导体层”中，利用非晶的铟镓锌氧化物在所述基板上制作形成金属氧化物半导体层。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在步骤“在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层”中，利用硅的氧化物在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第一钝化层；

在步骤“在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第二钝化层”中，利用硅的氮化物在所述栅极、所述源极接触层和所述漏极接触层上制作形成第二钝化层，所述第二钝化层的厚度为5nm～50nm。