[发明专利]集体制造配置成在高于1GHz下工作的3D电子组件的方法有效

专利信息
申请号: 201710479941.1 申请日: 2017-06-22
公开(公告)号: CN107527895B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: C·巴尔 申请(专利权)人: 3D加公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/31
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 法国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的主题为一种集体制造配置成在高于1GHz下工作的3D电子组件的方法,每个3D电子组件包括在其工作温度和频率下经测试的至少两个表面可转移的球栅型电子封装的堆叠。所述方法包括:‑根据下述子步骤按照如下次序来制造重构晶片:将电子封装在球侧放置第一粘性表层上,在树脂中模塑电子封装并且进行树脂的聚合,以获得过渡晶片,在过渡晶片的与球相对的面上对过渡晶片进行减薄,去除第一粘性表层并且在与球相对侧将过渡晶片放置在第二粘性表层上,在球侧的面上对过渡晶片进行减薄,形成球侧的再分配层,去除第二粘性表层以得到厚度比电子封装的原始厚度更小的重构晶片,‑堆叠重构晶片,‑切割经堆叠的重构晶片。
搜索关键词: 集体 制造 配置 高于 ghz 工作 电子 组件 方法
【主权项】:
集体制造3D电子组件的方法,每个3D电子组件包括在其工作温度和频率下经测试的,至少两个表面可转移的球栅型电子封装(10)的堆叠,所述方法包括:‑制造重构晶片的步骤,每个重构晶片(60)根据下述子步骤按照如下次序来制造:o A1)将所述电子封装(10)在球(4)侧放置在第一粘性表层(1)上,o B1)在树脂(5)中模塑所述电子封装(10)并且进行所述树脂的聚合,以获得过渡晶片(6),o C1)在所述过渡晶片的与所述球相对的面上对所述过渡晶片(6)进行减薄,o D1)去除所述第一粘性表层(1)并且在与所述球(4)相对侧将过渡晶片放置在第二粘性表层(8)上,o E1)在球侧的面上对过渡晶片进行减薄,o F1)形成球侧的再分配层(61),o G1)去除所述第二粘性表层(8)以得到重构晶片(6),所述重构晶片的厚度比所述电子封装的原始厚度更小,‑在上述子步骤完成时已得到数个重构晶片,堆叠重构晶片,‑切割经堆叠的重构晶片,以得到3D组件。
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