[发明专利]改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法有效
| 申请号： | 201710477261.6 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107403732B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王选芸 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/46 | 分类号： | H01L21/46;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法。该方法通过对氧化物半导体薄膜晶体管进行预设次数的弯折或对氧化物半导体薄膜晶体管进行弯折并保持预设的时长，利用弯折使得所述氧化物半导体层压缩或拉伸，进而改变氧化物半导体薄膜晶体管的沟道中原子间的距离，使得氧化物半导体层中的原子间成键轨道和反键轨道之间的能量差值改变，最终将氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压调控到合适的范围内，达到改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 氧化物 半导体 薄膜晶体管 阈值 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一氧化物半导体薄膜晶体管，包括：栅极(10)、覆盖所述栅极(10)的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上的氧化物半导体层(30)、以及设于所述氧化物半导体层(30)上间隔分布的源极(40)和漏极(50)；步骤2、对所述氧化物半导体薄膜晶体管进行预设次数的弯折，通过弯折使得所述氧化物半导体层(30)拉伸，以改善所述氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压；所述步骤2通过弯折使得所述氧化物半导体层(30)拉伸，以使得所述氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压减小并逐渐稳定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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