[发明专利]改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法

说明书

本发明提供一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法。该方法通过对氧化物半导体薄膜晶体管进行预设次数的弯折或对氧化物半导体薄膜晶体管进行弯折并保持预设的时长，利用弯折使得所述氧化物半导体层压缩或拉伸，进而改变氧化物半导体薄膜晶体管的沟道中原子间的距离，使得氧化物半导体层中的原子间成键轨道和反键轨道之间的能量差值改变，最终将氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压调控到合适的范围内，达到改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的目的。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法。

背景技术

有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Display，OLED)器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可实现柔性显示、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代显示器的新兴应用技术。

柔性显示器件是指采用柔性基板制成的显示器件，其具有可弯折易携带的特点，可以实现传统平面显示器件所不能实现的功能，具有成本及用户体验的优势，已成为显示技术领域研究和开发的主要领域。

而OLED显示是目前最适合制作柔性显示器件的显示技术，与传统的平面显示器件一样在柔性OLED显示器件中，一般也需要通过薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)来控制像素的作业或是驱动像素。常用的薄膜晶体管依其有源层的性质通常可分成非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物半导体(oxide)等多种类型。

目前，在柔性OLED显示器件中最常用的薄膜晶体管仍是低温多晶硅薄膜晶体管。但氧化物半导体由于相比于非晶硅具有较高的电子迁移率，相比低温多晶硅具有较简单的制程工艺，因此其在柔性显示器件中的应用仍然受到瞩目，具有良好的应用发展前景，是当前业界研究热门。但氧化物半导体的应用及开发仍面临很多问题，例如铟镓锌氧化物(IGZO)是一种载流子浓度低于10¹⁸/cm³的包含In、Ga及Zn的氧化物半导体，但采用IGZO制作的沟道层通常是非晶态的，因此在材料本身结构中缺陷较多，容易受到环境的影响，使TFT的稳定性较差，阈值电压的漂移较为严重，阻碍了氧化物半导体的应用及开发。

发明内容

本发明的目的在于一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法，能够改变氧化物半导体薄膜晶体管的沟道中原子间的距离，进而改善氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压。

为实现上述目的，本发明提供了一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一氧化物半导体薄膜晶体管，包括：栅极、覆盖所述栅极的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及设于所述氧化物半导体层上间隔分布的源极和漏极；

步骤2、对所述氧化物半导体薄膜晶体管进行预设次数的弯折或对所述氧化物半导体薄膜晶体管进行弯折并保持预设的时长，通过弯折使得所述氧化物半导体层压缩或拉伸，以改善所述氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压。

所述步骤2中的预设次数大于或等于10万次。

所述步骤2中预设的时长大于或等于45天。

对所述氧化物半导体薄膜晶体管进行弯折时，所述氧化物半导体薄膜晶体管的弯折半径小于或等于3mm。

所述步骤2通过弯折使得所述氧化物半导体层拉伸，以使得所述氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压减小并逐渐稳定。

所述步骤2通过弯折使得所述氧化物半导体层压缩，以使得所述氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压增大并逐渐稳定。

所述氧化物半导体层的材料为IGZO。

所述栅极、源极和漏极的材料均钼、铝、及钛中的一种或多种的组合。