[发明专利]功率半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710475227.5 | 申请日： | 2017-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107527950B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 金莹俊;禹赫;金台烨;赵汉信;朴泰泳;李珠焕 | 申请（专利权）人： | 奥特润株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;刘瑞贤 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了功率半导体装置及其制造方法。提供了一种功率半导体装置，包括：一对栅电极，在衬底中分别设置在彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽中；具有第一导电类型的本体区域，设置在第一沟槽和第二沟槽之间；具有第一导电类型的一对浮置区域，其彼此间隔开并且分别包围第一沟槽和第二沟槽的底表面和至少一个侧表面；以及具有第二导电类型的漂移区域，其这对浮置区域的下方延伸穿过这对浮置区域之间的区域直至所述本体区域，其中，在所述漂移区域中，这对浮置区域之间的第二导电类型的掺杂浓度高于在这对浮置区域下方的第二导电类型的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置，包括：一对栅电极，分别设置在衬底中彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽中；具有第一导电类型的本体区域，在所述衬底中设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；具有第一导电类型的一对浮置区域，在所述衬底中彼此间隔开并且分别包围所述第一沟槽和所述第二沟槽的底表面和至少一个侧表面；以及具有第二导电类型的漂移区域，在所述衬底中从具有第一导电类型的所述一对浮置区域的下方延伸穿过具有第一导电类型的所述一对浮置区域之间的区域而直至具有第一导电类型的所述本体区域，其中，在所述漂移区域中，具有第一导电类型的所述一对浮置区域之间的第二导电类型的掺杂浓度高于具有第一导电类型的所述一对浮置区域下方的第二导电类型的掺杂浓度。
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