[发明专利]单晶硅生长用石英坩埚外埚体及其制备方法有效
| 申请号： | 201710471254.5 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109097826B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 袁佳斌 | 申请（专利权）人： | 常州博科浩纳知识产权服务有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/10;B28B1/20 |
| 代理公司： | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人： | 翁坚刚 |
| 地址： | 213022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅生长用石英坩埚外埚体及其制备方法。所述的外埚体包括外筒部、埚底部和设置在埚底部内侧壁上的承载部。使用时，所述组合式石英坩埚的内筒体置于坩埚外埚体的承载部上，且坩埚内筒体的底部与承载部相互间密闭设置；并且所述坩埚内筒体的外侧壁与外筒部的内侧壁间隔距离，从而将坩埚外埚体分成晶体生长区和投料化料区两个区域。本发明结构简单，用于组合式石英坩埚后，使得组合式石英坩埚可分离杂质，能够实现投料、化料、晶体生长及分离杂质同时进行且高温持续工作时间长。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 石英 坩埚 外埚体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅生长用石英坩埚外埚体，所述石英坩埚外埚体为开口向上的石英烧结一体件；其特征在于：所述坩埚外埚体（1）包括外筒部（11）、埚底部（12）和设置在埚底部（12）上的承载部（13）；所述外筒部（11）的底部与埚底部（12）的顶部相互连接；所述承载部（13）位于埚底部（12）的顶部边沿下方的内侧壁上，埚底部（12）的内侧壁的位于承载部（13）上方的部分即为埚底部（12）的内侧壁的上部，埚底部（12）的内侧壁的位于承载部（13）下方的部分即为埚底部（12）的内侧壁的下部。
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