[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第一栅极结构的侧壁、以及第二区上形成第一侧墙膜；在第一区和第二区的第一侧墙膜表面、以及隔离结构上形成第一平坦层，第一区第一平坦层的整个顶部表面低于第一鳍部的顶部表面；在第一平坦层表面、暴露出的第一侧墙膜表面、以及第一鳍部和第一栅极结构上形成第一填充层，第一区第一填充层的整个表面高于第一栅极结构的顶部表面，第一填充层的硬度大于第一平坦层的硬度；在第二区的第一填充层表面形成第一光刻胶层，第一光刻胶层暴露出第一区的第一填充层；以第一光刻胶层为掩膜刻蚀第一填充层、第一鳍部和第一平坦层，在第一鳍部中形成第一凹陷。所述方法提高了半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，衬底第一区上具有第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离结构；在隔离结构上形成第一栅极结构，第一栅极结构横跨第一鳍部、覆盖第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在第一栅极结构的侧壁、以及第二区上形成第一侧墙膜；在第一区和第二区的第一侧墙膜表面、以及隔离结构上形成第一平坦层，且第一区第一平坦层的整个顶部表面低于第一鳍部的顶部表面；在第一平坦层表面、暴露出的第一侧墙膜表面、以及第一鳍部和第一栅极结构上形成第一填充层，第一区第一填充层的整个表面高于第一栅极结构的顶部表面，第一填充层的硬度大于第一平坦层的硬度；在第二区的第一填充层表面形成第一光刻胶层，且第一光刻胶层暴露出第一区的第一填充层；以第一光刻胶层为掩膜刻蚀第一填充层、第一鳍部和第一平坦层，在第一栅极结构和第一栅极结构侧壁的第一侧墙膜两侧的第一鳍部中形成第一凹陷。