[发明专利]加热装置、半导体制造装置在审
| 申请号： | 201710461434.5 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN108022857A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 足立昌和 | 申请（专利权）人： | 日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供加热装置和半导体制造装置，能提高加热效率并缩短升温时间，从而实现向加热器投入能量的低电耗化。所述加热装置(20)包括：移送构件(10)，在加热位置(HP)和非加热位置(NH)之间移送基板(W)；设在移送构件(10)上、支承基板(W)的支承构件(1)；设在加热位置(HP)上、对基板(W)的一个面加热的加热器(4)；以及和基板(W)的另一个面相对、安装在移送构件(10)上的热反射板(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种加热装置，其特征在于包括：移送构件，在加热位置和非加热位置之间移送基板；支承构件，设在所述移送构件上，支承所述基板；加热器，设在加热位置上，对所述基板的一个面加热；以及热反射板，和所述基板的另一个面相对，安装在所述移送构件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
