[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710461380.2 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148373A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/3105;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底；在所述基底上形成前驱介质层；对所述前驱介质层进行致密注入处理，以形成层间介质层。所述致密注入处理能够驱使所述前驱介质层内的H释出，从而有利于所述层间介质层致密度的提高，能够有效提高所述层间介质层的性能；而且通过致密注入处理驱使H释出的做法，能够有效控制工艺温度，从而有利于热预算的控制，能够有效降低所述层间介质层形成过程对其他半导体结构的影响；所以本发明技术方案能够在控制热预算的前提下，提高所述层间介质层的致密度，能够实现致密度提高和热预算降低的兼顾，有利于提高所形成半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 层间介质层 介质层 致密 前驱 热预算 基底 释出 电学性能 有效控制 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成前驱介质层；对所述前驱介质层进行致密注入处理，以形成层间介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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