[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710461380.2 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148373A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/3105;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 层间介质层 介质层 致密 前驱 热预算 基底 释出 电学性能 有效控制 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
形成基底；
在所述基底上形成前驱介质层；
对所述前驱介质层进行致密注入处理，以形成层间介质层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述致密注入处理的注入离子为He或Si。
3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，通过热注入的方式进行所述致密注入处理。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述致密注入处理的工艺温度在450℃到500℃范围内。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成栅极结构；
所述前驱介质层覆盖所述栅极结构。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述致密注入处理的注入深度小于或等于所述栅极结构上所述前驱介质层的厚度。
7.如权利要求1、5或6所述的形成方法，其特征在于，所述致密注入处理的注入深度在到范围内。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述致密注入处理的工艺参数包括:工艺温度在300℃到600℃范围内；注入能量在10KeV到200KeV范围内；注入剂量在2.0E14atom/cm2到5.0E16atom/cm2范围内。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过流体化学气相沉积的方式形成所述前驱介质层。
10.如权利要求1或9所述的形成方法，其特征在于，形成所述前驱介质层的步骤包括：
在所述基底上形成流动层；
对所述流动层进行固化处理。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，通过第一退火处理的方式进行所述固化处理，所述第一退火处理为水汽退火处理。
12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的退火温度在450℃到600℃范围内，退火时间在10min到200min范围内。
13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：进行致密注入处理之后，进行第二退火处理。
14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理的退火温度在550℃到700℃范围内，退火时间在10min到150min范围内。
15.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，在N2气氛下进行所述第二退火处理。
16.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层经致密注入处理。
17.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述致密注入处理的注入离子为He或Si。
18.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述致密注入处理的注入深度在到范围内。
19.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述致密注入处理的工艺参数包括：工艺温度在300℃到600℃范围内；注入能量在10KeV到200KeV范围内；注入剂量在2.0E14atom/cm2到5.0E16atom/cm2范围内。
20.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的栅极结构；
所述层间介质层覆盖所述栅极结构；
所述致密注入处理的注入深度小于或等于所述栅极结构上前驱介质层的厚度。
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