[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710457648.5 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148577B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部；形成初始掺杂区和介质层，初始掺杂区分别位于所述若干鳍部中，初始掺杂区包括底区域和位于底区域上的顶区域，介质层覆盖鳍部、初始掺杂区和衬底；在介质层中形成贯穿介质层的沟槽，所述初始掺杂区位于沟槽底部，且所述沟槽暴露出顶区域；刻蚀去除沟槽底部的顶区域，使底区域形成掺杂区。所述方法提高了沟槽底部不同鳍部中掺杂区顶部表面的形貌一致性，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部；形成初始掺杂区和介质层，初始掺杂区分别位于所述若干鳍部中，初始掺杂区包括底区域和位于底区域上的顶区域，介质层覆盖鳍部、初始掺杂区和衬底；在介质层中形成贯穿介质层的沟槽，所述初始掺杂区位于沟槽底部，且所述沟槽暴露出顶区域；刻蚀去除沟槽底部的顶区域，使底区域形成掺杂区。
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