[发明专利]碳化硅的等离子体切割

摘要

本申请涉及碳化硅的等离子体切割。形成半导体器件的方法包括在碳化硅衬底的第一侧形成有源区，所述碳化硅衬底具有与所述第一侧相反的第二侧并在所述第一侧上形成接触焊盘。接触焊盘与有源区耦接。所述方法还包括在接触焊盘上形成蚀刻终止层以及从所述第二侧等离子体切割碳化硅衬底。等离子体切割蚀刻穿透碳化硅衬底并终止于蚀刻终止层。切割的碳化硅衬底通过蚀刻终止层被保持在一起。将切割的碳化硅衬底附接在载体上。通过切割蚀刻终止层将切割的碳化硅衬底分离成碳化硅管芯。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在碳化硅衬底的第一侧形成有源区，所述碳化硅衬底包括与所述第一侧相反的第二侧；在所述第一侧上形成接触焊盘，所述接触焊盘耦接至所述有源区；在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层；从所述第二侧等离子体切割所述碳化硅衬底，所述等离子体切割蚀刻穿透所述碳化硅衬底并终止于所述蚀刻终止层，经切割的碳化硅衬底通过所述蚀刻终止层被保持在一起；将所述经切割的碳化硅衬底附接在载体上；以及通过使所述蚀刻终止层断开将所述经切割的碳化硅衬底分离成碳化硅管芯。