[发明专利]碳化硅的等离子体切割

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在碳化硅衬底的第一侧形成有源区，所述碳化硅衬底包括与所述第一侧相反的第二侧；

在所述碳化硅衬底的所述第一侧上形成接触焊盘，所述接触焊盘耦接至所述有源区；

在形成所述接触焊盘之后，在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层；

从所述第二侧等离子体切割所述碳化硅衬底，所述等离子体切割蚀刻穿透所述碳化硅衬底并终止于所述蚀刻终止层，经切割的碳化硅衬底通过所述蚀刻终止层被保持在一起；

将所述经切割的碳化硅衬底附接在载体上；

在所述等离子体切割之后从所述第一侧在所述蚀刻终止层中形成接触开口，所述接触开口使得形成于所述碳化硅衬底的所述第一侧的所述接触焊盘露出；

在露出所述接触焊盘之后，通过使所述蚀刻终止层断开将所述经切割的碳化硅衬底分离成碳化硅管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体切割包括相对于所述蚀刻终止层选择性地蚀刻所述碳化硅衬底的蚀刻化学物质。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述等离子体切割期间，当露出于所述等离子体切割的等离子体时，所述碳化硅衬底的蚀刻速率为10μm/分钟至30μm/分钟。

4.根据权利要求3所述的方法，其中当露出于所述等离子体切割的等离子体时，所述蚀刻终止层的蚀刻速率为0.01μm/分钟至0.1μm/分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使所述蚀刻终止层断开包括通过机械力分离。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使所述蚀刻终止层断开包括锯切所述蚀刻终止层或非接触切割所述蚀刻终止层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层包括在所述碳化硅衬底上涂覆液体层，将所述液体层固化，以及将固化的液体层抛光以形成平坦表面。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层包括对所述蚀刻终止层进行模板印刷，所述接触焊盘在所述模板印刷之后保持打开。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体包括具有带的框架。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳化硅衬底包括在所述第一侧的第一主表面和在所述第二侧的第二主表面，其中所述碳化硅衬底是单晶材料，以及其中所述第一主表面是(100)晶面表面。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述等离子体切割之前从所述第二侧对所述碳化硅衬底进行研磨。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻终止层包含陶瓷材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中使用等离子体蚀刻工具进行所述等离子体切割，所述等离子体蚀刻工具包括：

等离子体室；

卤间化合物气体的入口；

所述卤间化合物气体的出口；

用于由所述卤间化合物气体产生等离子体的电极；以及

用于加热待利用所述等离子体被蚀刻的晶片的加热单元。